深圳市得沃特科技有限公司
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产品图册

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副标题

微波射频(RF-Microwave)
微波射频(RF-Microwave)
Microwave :提供完整的射频微波小信号产品,包括宽带放大器, 衰减器, 宽带开关,PLL+VCO等,现属ADI旗下。Power Products:3dB电桥、定向耦合器、功分器/合路器、射频负载、射频电阻、巴伦、衰减器等微波无源器件。Qorvo:氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)混合功率放大器Qorvo 为高级无线设备、国防雷达和通信应用提供高性能 RF 解决方案。
微控制单元(MCU)
微控制单元(MCU)
ST 8位/32位 微控制器:融高性能、实时性、数字信号处理、低功耗、低电压于一身,同时保持高集成度和开发简易的特点。TI MSP430 微控制器 :混合信号微控制器,特点是超低功耗微控制器由多个器件特色不同组外围设备的针对各种应用。Atmel SMART ARM 处理器的 MCU:Atmel 开创首个闪存微控制器、首个基于 ARM7™ 的 32 位闪存微控制器、首个具有 RAM 保留的 100nA 微控制器以及首个基于 ARM9™ 的闪存微控制器。
存储器(Memory)
存储器(Memory)
Cypress FRAM 存储器:FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势,包括大量的读写周期、高速读写周期和低功耗。我们的FRAM产品线具有多种接口和容量,包括工业 工业标准的串行和并行接口;工业标准的封装类型;和4Kb、16Kb、256Kb和1Mb容量。FUJITSU FRAM存储器:FRAM(铁电存储器)具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。FRAM具有两个产品系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口产 品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替,而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。

微波射频(RF-Microwave)

Microwave :提供完整的射频微波小信号产品,包括宽带放大器, 衰减器, 宽带开关,PLL+VCO等,现属ADI旗下。 Power Products:3dB电桥、定向耦合器、功分器/合路器、射频负载、射频电阻、巴伦、衰减器等微波无源器件。 Qorvo:氮化镓(GaN)/砷化镓(GaAs)混合功率放大器Qorvo 为高级无线设备、国防雷达和通信应用提供高性能 RF 解决方案。

控制单元(MCU)

ST 8位/32位 微控制器:融高性能、实时性、数字信号处理、低功耗、低电压于一身,同时保持高集成度和开发简易的特点。

TI MSP430 微控制器 :混合信号微控制器,特点是超低功耗微控制器由多个器件特色不同组外围设备的针对各种应用。

Atmel SMART ARM 处理器的 MCU:Atmel 开创首个闪存微控制器、首个基于 ARM7™ 的 32 位闪存微控制器、首个具有 RAM 保留的 100nA 微控制器以及首个基于 ARM9™ 的闪存微控制器。

存储器(Memory)

Cypress FRAM 存储器:FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势,包括大量的读写周期、高速读写周期和低功耗。我们的FRAM产品线具有多种接口和容量,包括工业 工业标准的串行和并行接口;工业标准的封装类型;和4Kb、16Kb、256Kb和1Mb容量。

FUJITSU FRAM存储器:FRAM(铁电存储器)具有像E2PROM一样的非易失性的优势 ,在没有电源的情况下可以保存数据,用于数据存储。FRAM具有两个产品系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口产 品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行闪存来代替,而采用并行I/F的产品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)来代替。